Dioda tunnel pertama kali diperkenalkan oleh Leo Esaki pada tahun 1958. Dioda tunnel, atau juga dikenal dengan nama dioda Esaki mampu merubah kondisinya diantara level arus puncak dan arus minimum secara cepat, “switching” diantara kondisi low dan high lebih cepat daripada dioda Schottky.
Dioda tunel di buat dengan doping material semikonduktor yang akan membentuk p-n junction pada tingkat seratus sampai seribu kali dari sebuah dioda semikonduktor biasa. Hal ini akan mengakibatkan dalam penurunan secara besar pada depletion region, dari urutan jarak 10-6 cm, atau sekitar 1/100 lebar dari daerah untuk semikonduktor diode biasa.
Simbol Dioda Tunnel
Tidak ada komentar:
Posting Komentar